型号 | PSMN2R6-40YS,115 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK |
PSMN2R6-40YS,115 PDF | |
代理商 | PSMN2R6-40YS,115 |
产品目录绘图 | MOSFET LFPAK-4 |
特色产品 | LFPAK Trench 6 MOSFETs |
标准包装 | 1 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.8 毫欧 @ 25A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 3776pF @ 12V |
功率 - 最大 | 131W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
供应商设备封装 | LFPAK,Power-SO8 |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1507 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 568-4906-1 |